集微网消息（文/余昕）8月19日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件，此外，公司还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。
据介绍，捷捷微电主营业务以IDM为主，Fabless＋封测为辅，所处行业为半导体分立器件非集成电路，涉及的晶圆主要为2um制程，以构槽结构为主。公司MOS业务采用Fbless＋封测模式，其中芯片（８英寸为主，主要为180nm制程）全部委外流片，封测方面自供为主、委外代工为辅。
关于以氧化镓和金刚石为材料的第四代半导体的研究，捷捷微电表示，公司暂无第四代半导体技术研究项目。
功率半导体“车规级”封测产业化项目方面，捷捷微电称，该项目主要从事车规级大功率器件的研发、生产及销售，本项目建设完成后可达到年产1900kk车规级大功率器件DFN系列产品、120kk车规级大功率器件TOLL系列产品、90kk车规级大功率器件LFPACK系列产品以及60kkWCSP电源器件产品的生产能力。项目达产后预计形成20亿的销售规模。目前进展：已经开工，正在进行厂房等基础设施和配套的建设，建设期在2年左右。
（校对/黄仁贵）
